Automatikos terminų žodynas. – Vilnius: Technika. Vilius Antanas Geleževičius, Angelė Kaulakienė, Stanislovas Marcinkevičius. 2004.
Kollektor-Basis-Durchbruch — kolektoriaus sandūros pramušimas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. collector junction breakdown vok. Kollektor Basis Durchbruch, m; Kollektorübergangdurchbruch, m rus. пробой коллекторного перехода, m pranc. claquage de jonction de… … Automatikos terminų žodynas
Kollektorübergangdurchbruch — kolektoriaus sandūros pramušimas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. collector junction breakdown vok. Kollektor Basis Durchbruch, m; Kollektorübergangdurchbruch, m rus. пробой коллекторного перехода, m pranc. claquage de jonction de… … Automatikos terminų žodynas
collector junction breakdown — kolektoriaus sandūros pramušimas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. collector junction breakdown vok. Kollektor Basis Durchbruch, m; Kollektorübergangdurchbruch, m rus. пробой коллекторного перехода, m pranc. claquage de jonction de… … Automatikos terminų žodynas
kolektoriaus sandūros pramušimas — statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. collector junction breakdown vok. Kollektor Basis Durchbruch, m; Kollektorübergangdurchbruch, m rus. пробой коллекторного перехода, m pranc. claquage de jonction de collecteur, m … Automatikos terminų žodynas
пробой коллекторного перехода — kolektoriaus sandūros pramušimas statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. collector junction breakdown vok. Kollektor Basis Durchbruch, m; Kollektorübergangdurchbruch, m rus. пробой коллекторного перехода, m pranc. claquage de jonction de… … Automatikos terminų žodynas
TRANSISTORS ET THYRISTORS — Dispositif semi conducteur à deux jonctions mis au point, en 1948, par trois chercheurs des Bell Telephone Laboratories (John Bardeen, William B. Shockley et Walter H. Brattain, auxquels on décerna le prix Nobel de physique en 1956), le… … Encyclopédie Universelle
Effet Kirk — L effet Kirk est un effet parasite du transistor bipolaire qui consiste en l élargissement de la zone de base au détriment de la zone collecteur suite à une forte densité de porteur majoritaire injectée de la base vers le collecteur. Cet effet a… … Wikipédia en Français
COMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
GEMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
IGBT — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… … Wikipédia en Français
